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JS-2D晶体管反向截止电流测试仪

内容摘要:
JS-2D晶体管反向截止电流测试仪 类别半导体分立器件测试仪 型号JS-2D 品牌北京无线电仪器厂 规格JS-2D 仪器价格 9210 元

产品名称：JS-2D晶体管反向截止电流测试仪
型号：JS-2D
生产厂家：北京无线电仪器厂
厂家地址：北京
尺寸：不详
市场价： 9500元
会员价： 9210元
销售单位：台
JS-2D晶体管反向截止电流测试仪产品说明
内容摘要:
JS-2D晶体管反向截止电流测试仪 类别半导体分立器件测试仪 型号JS-2D 品牌北京无线电仪器厂 规格JS-2D 仪器价格 9210 元

JS-2D双极型晶体管反向截止电流测试仪，符合国家标准和IEC标准的规定。
本仪器可测试NPN、PNP、微功耗、小、中、大功率晶体管ICEO、ICBO、IEBO、ICES、ICER、ICEX等反向截止电流，可供半导体器件生产厂、整机厂、科研单位、大专院校使用。

特点和功能：
具有单次测量和连续测量两种功能。它综合了BJ2900型和JS-2C型反向截止电流测试的优点。单次测量时间由1S—10S可选择，根据需要选择不同时间进行测试，测试完毕之后，将加于被测器件的电流电压自动关断，并将测试的电流数据保持，保证操作人员的安全（注意在测试过程中，在使用高压档时，请勿接触被测器件以免高压电人）。连续测量，适合于半导体生产厂家大批量测试，应戴安全手套操作。具有操作简单，使用方便、体积小、重量轻等特点。

工作特性：
额定工作条件及产品规格
（1） 工作环境温度：10—30℃
（2） 相对湿度：30℃（20—75）%RH
（3） 大气压强：（36~106）Kpa
（4） 交流供电：220V±10% 50Hz±2.5Hz
（5） 外电磁场：应避免
（6） 通风良好
（7） 仪器外形尺寸：440×160×360
（8） 仪器重量：约13kg
（9） 仪器连续工作：8小时
（10） 仪器消耗功率：≦130W

测量范围及误差
反向截止电流ICEO、ICBO、IEBO、ICES、ICER、ICEX测量范围及误差

量程 电流范围 分辨率 误差
200nA 0—199.9nA 0.1nA ±2%满度值±3个字
2uA 0—1.999uA 1nA ±2%满度值±3个字
20uA 0—19.99A 10nA ±1%满度值±3个字
200uA 0—199.9A 100nA ±1%满度值±3个字
2mA 0—1.999mA 1uA ±1%满度值±3个字
10mA 0—10.00mA 10uA ±1%满度值±3个字

扁置电压（VCEO、VCBO、VEBO）20V、200V、500V共分三档
量 程 电压范围 误差
20V 0.3V~19.99V ±1%满度值±3个字
200V 0.5V~199.9V ±1%满度值±3个字

500V 1V~500V ±1%满度值±3个字

电压稳定度 (SV) 优于0.1%，负载稳定度 (SI) 优于0.15%。

技术咨询及销售电话：

速查热线：０１０-５１６６９９６６　６３１６５９１６　手机:１３３４１０３２６２６
图文传真：０１０-６３１６５９２０　
办公地址：北京市宣武区北纬路45-5号日升源写字楼217室 邮政编码：100050

BJ2923 智能化晶体管综合参数测试仪
功能摘要：自动测试三极管12个直流参数及二极管直流参数，数字式，可自动分选。 39000元/台

BJ2922B 场效应管测试仪
功能摘要：可测gm,Vp,Idss。数字显示。 9800元/台

QEIA 双基板二极管测试仪
功能摘要：可测二极管RBB，TEC，VES(sot)，Vv，Iv，Ip。 7800元/台

BJ2912c 稳压二极管测试仪
功能摘要：满足IN1740-986系列，ZC ZDW等各类稳压二极管，可测：VF、VZ、RZ、IR。 9500元/台

JS-2D 双极型晶体管反向截止电流测试仪　
功能摘要：可测NPN，PNP。小、中、大功率三极管Iceo.Icbo，Icer反向截止电流，偏置电压500V，最高分辨率0.1A 8800元/台

JS-2E 二极管反向漏电测试仪　
功能摘要：测试二极管三极管及任何二端器件，分脉冲和直流二种方式，20V－1500V，0.IIna－100uA 11800元/台

BJ2900A 晶体管反向截止电流反向击穿电压测试仪　
功能摘要：测量双极型晶体三极管反向截止电流IEBO、ICEO、ICBO。反向击穿电压V（BR）EBO，V（BR）CEO，V（BR）CBO。二极管反向漏电流IR，，电压0－1600V，电流0.1μA－2mA 9500元/台

BJ2986 晶体管直流脉冲开关安全工作区测试仪　
功能摘要：符合美国军标，检测计量晶体管在规定条件下的直流，脉冲和开关安全工作区，以确保其可靠性。 98000元/台

BJ2961A 智能化晶体管开关参数测试仪
功能摘要：CRT显示，带打印接口。　 78000元/台 期货

BJ2962 二极管反向恢复时间测试仪　
功能摘要：扫速量程10－50us，CRT显示，带打印接口。 68000元/台 期货

BJ2970 大功率开关参数测试仪　
功能摘要：测试低频大功率晶体管开关特性参数。 88000元/台 期货

BJ2983 三极管正偏二次击穿测试仪　
功能摘要：测试三极管在直流、脉冲电流正向偏置下的二次击穿特性。 56000元/台

BJ2988A 晶体管极限参数测试仪　
功能摘要：测量0－750W。瞬态热阻。正向偏二次击穿。 78000元/台

BJ2984 三极管瞬态热阻测试仪　
功能摘要：测试三极管瞬态热阻参数，配偏置电源。 56000元/台

BJ2984A 二极管瞬态热阻测试仪　
功能摘要：测试二极管瞬态热阻参数。 56000元/台

Q06 晶体三极管热装置　
功能摘要：符合国家军标，可以对0－750W锗/硅、NPN、PNP晶体管的热阻进行测试。 85000元/台

BJ2989 MOS场效应管瞬态热阻测试仪　
功能摘要：可测试0－750WN沟道及Ρ沟道大功率MOS场效应管的瞬态热阻，在加配散热器并测量壳温TC时亦可测试其稳态热阻。 78000元/台

BJ2990 MOS场效应管测试仪　
功能摘要：可测试N沟道及Ρ沟道大功率MOS场效应管的VGS（th）、RDS(on)及ID为0－10A时的跨导gm等主要技术参数。 58000元/台

JS2613型 电容测量分选仪
功能摘要：（1MHZ）高频测量：单片机控制：稳定、可靠、主、付参量同时显示，适用于小电容\晶体管结电容的测量。 12000元/台

高频小功率晶体管ft测试仪
主要技术指标：测量频率：1.000MHZ±0.01%测量范围：C：0.001pF~99999pF　D：0.001~999.9测量电平：≤100mVrms 测量精度：±0.1%测量速度：快5次/秒、慢3次/秒。一套五台，各台独立型号分别为：QG21 QG22 QG23 QG24 QG25 。QG21－ft测量额定范围：100－1000（MHZ）QG22－ft测量额定范围：200－2000（MHZ）QG23－ft测量额定范围：10－100　（MHZ）QG24－ft测量额定范围：30－300　（MHZ）QG25－ft测量额定范围：400－4000（MHZ） 39500元/台

Q01A 高频小功率ft计量装置
功能摘要：带打印。频率特性范围10MHZ－4000MHZ 170000元/台

BJ3031 三极管rbb.Cc乘积测量仪
功能摘要：三极管高频特性，0－500ps 78000元/台

BJ2948A 闸流晶体管参数测试仪
功能摘要：可测试Vgt,Igt,Ih,Vt(av),It(av),Vtm,Itm等17个参数。反向断态电压可达2000V，通态最大电流到200A，采用内置计算机控制，CRT显示，带打印接口，操作简便，智能程度高。 58000元/台

HB2932 晶闸管门极参数测试仪　
功能摘要：可测量晶闸管及向可控硅的触发电压，维护电流，可对双向可控硅进行四个象限测试。VGO－10MA　ICO－50MA　IH：0－500MA。 7600元/台

BJ3000 MOS场效应管测试仪
功能摘要：本仪器为测试场效应管综合参数的测试仪，可测Vgs（th）、Idss、Igss、BVdss、BVgss、Rd、、Gfs参数。本仪器是采用计算机控制的高智能化的测试仪器，具有测试速度快、操作灵活、使用方便特点，并能存储测试条件，存储、打印测试数据。配合相应的软件可以测试三极管、二极管、可控硅、IGBT等分离器件。因此可实现一台仪器代替多台仪器使用Idss 量程范围：0~50A 68000元/台

HB2931A 可控硅综合参数测试仪
功能摘要：本测试仪用于测量晶闸管（可控硅整流无件）的通态、断态的触发电压、触发电流、维持电流、维持电压等参数。本仪器的图示装置可以显示被器件的伏安特性。主要技术特性：通压平稳电压TAV：0－2（V）；通态峰值电压VTM：0－10（A）；通态平均电流ITAV：0－5（A）；通态峰值电流ITM：0－15（A）；断态峰值电压VDRM、VDSM，反向峰值电压VDRM、VRSM：0－4000（V）；断态重复平均电流IDRM，反向重复平均电流IRRM：0－100（mA）；门级（控制级）触发电压VGT：0－10（V）；门级（控制级）触发电流IGT：0－500（mA）；测量误差：≤±5%；外形尺寸：500×222×500（mm）；重量：约30kg. 19500元/台